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3811379Immagine DTC114TEBTL.LAPIS Semiconductor

DTC114TEBTL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DTC114TEBTL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.DTC114TEBTL.pdf
    2.DTC114TEBTL.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    EMT3F (SOT-416FL)
  • Serie
    -
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-89, SOT-490
  • Altri nomi
    DTC114TEBTL-ND
    DTC114TEBTLTR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    DTC114

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Pagamento
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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Produttori: LAPIS Semiconductor
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