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1285165Immagine DTC143EUAT106.LAPIS Semiconductor

DTC143EUAT106

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DTC143EUAT106
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.DTC143EUAT106.pdf
    2.DTC143EUAT106.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    UMT3
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-70, SOT-323
  • Altri nomi
    DTC143EUAT106TR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    DTC143

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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