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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DTC143EET1G

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Immagine DTC143EET1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

DTC143EET1G

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Specifiche

Modello di prodotti

DTC143EET1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

DTC143EET1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

SC-75, SOT-416
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potenza - Max

200mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SC-75, SOT-416
Altri nomi

DTC143EET1G-ND
DTC143EET1GOSTR
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

2 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

DTC143

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