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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DTD143ECT116

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Immagine DTD143ECT116.

LAPIS Semiconductor

DTD143ECT116

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Specifiche

Modello di prodotti

DTD143ECT116
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.DTD143ECT116.pdf
2.DTD143ECT116.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

SST3
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potenza - Max

200mW
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

DTD143ECT116CT
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

200MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

47 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

500mA

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