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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DTD523YETL

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Immagine DTD523YETL.

LAPIS Semiconductor

DTD523YETL

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Specifiche

Modello di prodotti

DTD523YETL
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.DTD523YETL.pdf
2.DTD523YETL.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

12V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

EMT3
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Potenza - Max

150mW
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

SC-75, SOT-416
Altri nomi

DTD523YETLCT
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

260MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

500mA
Numero di parte base

DTD523

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