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2013842Immagine DTD743XETL.LAPIS Semiconductor

DTD743XETL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DTD743XETL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DTD743XETL.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    30V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    EMT3
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-75, SOT-416
  • Altri nomi
    DTD743XETL-ND
    DTD743XETLTR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    260MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    140 @ 100mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    200mA
  • Numero di parte base
    DTD743

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