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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > EMA3T2R
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5872964Immagine EMA3T2R.LAPIS Semiconductor

EMA3T2R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EMA3T2R
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    EMT5
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    -
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
EMA40DRMI

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Produttori: Sullins Connector Solutions
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EMA40DRMH-S288

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EMA36DTMH

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EMA36DTMZ-S664

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EMA36DTMT

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EMA40DRMD-S288

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EMA40DRMI-S288

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EMA36DTMT-S273

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EMA36DTMD-S664

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EMA36DTMN

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EMA40DRMN

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EMA40DRMS

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EMA40DRMD

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EMA40DRMH

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EMA40DRMT

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EMA36DTMT-S664

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EMA36DTMZ-S273

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EMA36DTMI

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EMA36DTMS

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EMA40DRMN-S288

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