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1284746Immagine EMG3T2R.LAPIS Semiconductor

EMG3T2R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EMG3T2R
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.EMG3T2R.pdf
    2.EMG3T2R.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    EMT3
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    -
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-75, SOT-416
  • Altri nomi
    EMG3T2R-ND
    EMG3T2RTR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    *MG3

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553

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Descrizione: NETWORK SWITCH-MANAGED 10 PORT

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Descrizione: NETWORK SWITCH-MANAGED 8 PORT

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: Atop Technologies
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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

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