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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > FMG6AT148
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949979Immagine FMG6AT148.LAPIS Semiconductor

FMG6AT148

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FMG6AT148
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.FMG6AT148.pdf
    2.FMG6AT148.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo transistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SMT5
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    -
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-74A, SOT-753
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    *MG6

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Descrizione: IGBT MOLDING 600V 300A 7PM-IA

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Descrizione: IGBT MOLDING 600V 150A 7PM-HA

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