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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > FMY1AT148

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Immagine FMY1AT148.

LAPIS Semiconductor

FMY1AT148

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Specifiche

Modello di prodotti

FMY1AT148
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5SMT
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.FMY1AT148.pdf
2.FMY1AT148.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

NPN, PNP (Emitter Coupled)
Contenitore dispositivo fornitore

SMT5
Serie

-
Potenza - Max

300mW
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

SC-74A, SOT-753
Altri nomi

FMY1AT148CT
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

180MHz, 140MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 180MHz, 140MHz 300mW Surface Mount SMT5
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

150mA
Numero di parte base

*MY1

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