IMB9AT110

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Specifiche

Modello di prodotti

IMB9AT110
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IMB9AT110.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore

SMT6
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potenza - Max

300mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SC-74, SOT-457
Altri nomi

IMB9AT110-ND
IMB9AT110TR
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

250MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

MB9

Notizie correlate
spedizione
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Produttori: LAPIS Semiconductor

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