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4193936Immagine IMB4AT110.LAPIS Semiconductor

IMB4AT110

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IMB4AT110
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IMB4AT110.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo transistor
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SMT6
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    -
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SC-74, SOT-457
  • Altri nomi
    IMB4AT110CT
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    MB4

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Produttori: Crouzet
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

Produttori: Crouzet
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Descrizione: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

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Descrizione: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M

Produttori: Crouzet
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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