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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > IMT4T108
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6289045Immagine IMT4T108.LAPIS Semiconductor

IMT4T108

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IMT4T108
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2PNP 120V 0.05A 6SMT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    120V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo transistor
    2 PNP (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SMT6
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-74, SOT-457
  • Altri nomi
    IMT4T108TR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    140MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 50mA 140MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    180 @ 2mA, 6V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    50mA
  • Numero di parte base
    MT4

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