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5237133Immagine QS5W1TR.LAPIS Semiconductor

QS5W1TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    QS5W1TR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.QS5W1TR.pdf
    2.QS5W1TR.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    30V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    400mV @ 50mA, 1A
  • Tipo transistor
    2 NPN (Dual) Common Emitter
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TSMT5
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.25W
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
  • Altri nomi
    QS5W1TRDKR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    270MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Emitter 30V 3A 270MHz 1.25W Surface Mount TSMT5
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 500mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    3A

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