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5439033Immagine QS8K11TCR.LAPIS Semiconductor

QS8K11TCR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    QS8K11TCR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.QS8K11TCR.pdf
    2.QS8K11TCR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TSMT8
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    50 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Potenza - Max
    1.5W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • Altri nomi
    QS8K11TCRTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    180pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    3.3nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.5A

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