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140225Immagine QS8M12TCR.LAPIS Semiconductor

QS8M12TCR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    QS8M12TCR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    QS8M12TCR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TSMT8
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    42 mOhm @ 4A, 10V
  • Potenza - Max
    1.5W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • Altri nomi
    QS8M12TCRTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    3.4nC @ 5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4A
  • Numero di parte base
    *M12

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