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6274406Immagine R6004ENJTL.LAPIS Semiconductor

R6004ENJTL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    R6004ENJTL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 4A LPT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.R6004ENJTL.pdf
    2.R6004ENJTL.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    LPTS (D2PAK)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    980 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    40W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    R6004ENJTLTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    17 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 4A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

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Produttori: Bussmann (Eaton)
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Produttori: Bussmann (Eaton)
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