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4161097Immagine RCD041N25TL.LAPIS Semiconductor

RCD041N25TL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RCD041N25TL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RCD041N25TL.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    CPT3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1300 mOhm @ 2A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    850mW (Ta), 20W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    RCD041N25TLCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    350pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    8.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    250V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 250V 4A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

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