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6879454Immagine RFN10BM3STL.LAPIS Semiconductor

RFN10BM3STL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RFN10BM3STL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RFN10BM3STL.pdf
    2.RFN10BM3STL.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.5V @ 10A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    350V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-252
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    30ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    RFN10BM3STLTR
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    150°C (Max)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 350V 10A Surface Mount TO-252
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 350V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    10A
  • Capacità a Vr, F
    -

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