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506328Immagine RGTV00TS65GC11.LAPIS Semiconductor

RGTV00TS65GC11

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RGTV00TS65GC11
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RGTV00TS65GC11.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    650V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.9V @ 15V, 50A
  • Condizione di test
    400V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    41ns/142ns
  • di scambio energetico
    1.17mJ (on), 940µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247N
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    276W
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    15 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • carica gate
    104nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 650V 95A 276W Through Hole TO-247N
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    200A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    95A

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