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3563483Immagine RSJ301N10FRATL.LAPIS Semiconductor

RSJ301N10FRATL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RSJ301N10FRATL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    NCH 100V 30A POWER MOSFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RSJ301N10FRATL.pdf
    2.RSJ301N10FRATL.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    LPTS
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    46 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    50W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-83
  • Altri nomi
    RSJ301N10FRATLTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2100pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 30A (Ta) 50W (Ta) Surface Mount LPTS
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30A (Ta)

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