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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RT1E050RPTR
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3895806Immagine RT1E050RPTR.LAPIS Semiconductor

RT1E050RPTR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RT1E050RPTR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 5A TSST8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RT1E050RPTR.pdf
    2.RT1E050RPTR.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-TSST
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    36 mOhm @ 5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.25W (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • Altri nomi
    RT1E050RPDKR
    RT1E050RPTRDKR
    RT1E050RPTRDKR-ND
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1300pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5A (Ta)

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