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Immagine RTQ045N03TR.

LAPIS Semiconductor

RTQ045N03TR

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Specifiche

Modello di prodotti

RTQ045N03TR
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

RTQ045N03TR.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.5V @ 1mA
Vgs (Max)

12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

43 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

1.25W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi

RTQ045N03MGTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

10.7nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 4.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

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