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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RUC002N05HZGT116
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6925394Immagine RUC002N05HZGT116.LAPIS Semiconductor

RUC002N05HZGT116

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RUC002N05HZGT116
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    1.2V DRIVE NCH MOSFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RUC002N05HZGT116.pdf
    2.RUC002N05HZGT116.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SST3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Dissipazione di potenza (max)
    350mW (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    RUC002N05HZGT116DKR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    50V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

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