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5082433Immagine RUE002N02TL.LAPIS Semiconductor

RUE002N02TL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RUE002N02TL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RUE002N02TL.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    EMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    150mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-75, SOT-416
  • Altri nomi
    RUE002N02TLTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 2.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

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