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Immagine RW1C026ZPT2CR.

LAPIS Semiconductor

RW1C026ZPT2CR

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Specifiche

Modello di prodotti

RW1C026ZPT2CR
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

RW1C026ZPT2CR.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

6-WEMT
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

70 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-563, SOT-666
Altri nomi

RW1C026ZPT2CRTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

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