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3805605Immagine RZF013P01TL.LAPIS Semiconductor

RZF013P01TL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RZF013P01TL
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.RZF013P01TL.pdf
    2.RZF013P01TL.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TUMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    800mW (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    3-SMD, Flat Leads
  • Altri nomi
    RZF013P01TLDKR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    290pF @ 6V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.4nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    12V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.3A (Ta)

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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