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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > SP8J1FU6TB
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SP8J1FU6TB

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SP8J1FU6TB
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    42 mOhm @ 5A, 10V
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 2W Surface Mount 8-SOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5A
  • Numero di parte base
    *J1

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