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6545652Immagine SP8M21FRATB.LAPIS Semiconductor

SP8M21FRATB

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SP8M21FRATB
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.SP8M21FRATB.pdf
    2.SP8M21FRATB.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOP
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    SP8M21FRATBCT
  • temperatura di esercizio
    150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 10V, 2400pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    45V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 45V 6A (Ta), 4A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta), 4A (Ta)

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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RFQ
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