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UMD4NTR

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Specifiche

Modello di prodotti

UMD4NTR
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.UMD4NTR.pdf
2.UMD4NTR.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore

UMT6
Serie

-
Resistor - Emitter Base (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms, 10 kOhms
Potenza - Max

150mW, 120mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

250MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW, 120mW Surface Mount UMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

*MD4

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