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UMF28NTR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    UMF28NTR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.UMF28NTR.pdf
    2.UMF28NTR.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    UMT6
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz, 140MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount UMT6
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA, 150mA

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Descrizione: CAP ALUM 6.8UF 20% 35V RADIAL

Produttori: Nichicon
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Descrizione: CAP ALUM 4.7UF 20% 35V RADIAL

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Descrizione: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Produttori: LAPIS Semiconductor
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