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US6M11TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    US6M11TR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.US6M11TR.pdf
    2.US6M11TR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    UMT6
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1W
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    US6M11DKR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    110pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1.8nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V, 12V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.5A, 1.3A
  • Numero di parte base
    *M11

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

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Descrizione: SENSOR 100PSIG 1/4NPT 4-20MA 2'

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
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