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5358580Immagine US6M2GTR.LAPIS Semiconductor

US6M2GTR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    US6M2GTR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    US6M2GTR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TUMT6
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1W
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    6-SMD, Flat Leads
  • Altri nomi
    US6M2GDKR
  • temperatura di esercizio
    150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    80pF @ 10V, 150pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V, 20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.5A, 1A

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