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CSD19535KTTT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CSD19535KTTT
  • Costruttore / Marca
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DDPAK/TO-263-3
  • Serie
    NexFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.4 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    300W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • Altri nomi
    296-41135-1
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    2 (1 Year)
  • Produttore tempi di consegna standard
    35 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7930pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    98nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    200A (Ta)

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