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CSD19536KCS

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CSD19536KCS
  • Costruttore / Marca
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V TO-220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Richiedi la verifica dell'inventario / conforme alla normativa RoHS
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220-3
  • Serie
    NexFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.7 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    375W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    296-37289-5
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    35 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Request inventory verification / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    12000pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    153nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 150A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    150A (Ta)

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