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5875302Immagine DS1230AB-120.Maxim Integrated

DS1230AB-120

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DS1230AB-120
  • Costruttore / Marca
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    DS1230AB-120.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    120ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    28-EDIP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Altri nomi
    DS1230AB120
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 120ns 28-EDIP
  • Numero di parte base
    DS1230AB
  • Tempo di accesso
    120ns

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