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2855126Immagine DS1230AB-200.Maxim Integrated

DS1230AB-200

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DS1230AB-200
  • Costruttore / Marca
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    DS1230AB-200.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    200ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    28-EDIP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Altri nomi
    DS1230AB200
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP
  • Numero di parte base
    DS1230AB
  • Tempo di accesso
    200ns

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DS1230AB-70

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DS1230AB-70+

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Descrizione: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

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DS1230AB-85+

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DS1230AB-70IND

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DS1230AB-120IND+

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DS1230AB-200+

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DS1230AB-120

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Descrizione: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

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DS1230AB-70IND+

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Descrizione: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

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DS1230AB-100

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DS1230AB-120IND

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Descrizione: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

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DS1230AB-85

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DS1230AB-150+

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