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1969387Immagine DS1265AB-70IND.Maxim Integrated

DS1265AB-70IND

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DS1265AB-70IND
  • Costruttore / Marca
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    1.DS1265AB-70IND.pdf
    2.DS1265AB-70IND.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    70ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    36-EDIP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mb (1M x 8) Parallel 70ns 36-EDIP
  • Numero di parte base
    DS1265AB
  • Tempo di accesso
    70ns

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Pagamento
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Descrizione: IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

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Descrizione: IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

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DS1265W-100IND

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DS1265W-100+

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