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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > DS2030Y-100#
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3396270Immagine DS2030Y-100#.Maxim Integrated

DS2030Y-100#

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DS2030Y-100#
  • Costruttore / Marca
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 256BGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DS2030Y-100#.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    100ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    256-BGA (27x27)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    256-BGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 100ns 256-BGA (27x27)
  • Numero di parte base
    DS2030
  • Tempo di accesso
    100ns

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Descrizione: IC NVSRAM 256K PARALLEL 256BGA

Produttori: Maxim Integrated
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Produttori: Maxim Integrated
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