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ECF840AAACN-C1-Y3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    ECF840AAACN-C1-Y3
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 8G PARALLEL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Serie
    -
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    8Gb (512M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (512M x 16) Parallel

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