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EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Contenitore dispositivo fornitore
    134-FBGA (10x11.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    134-WFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Gb (128M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • Frequenza dell'orologio
    533MHz

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EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Produttori: Micron Technology
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EDB4416BBBH-1DIT-F-D

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

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