Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > EDB4432BBPA-1D-F-D
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1480001Immagine EDB4432BBPA-1D-F-D.Micron Technology

EDB4432BBPA-1D-F-D

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1680+
$9.212
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    EDB4432BBPA-1D-F-D
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    EDB4432BBPA-1D-F-D.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Contenitore dispositivo fornitore
    168-FBGA (12x12)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    168-WFBGA
  • temperatura di esercizio
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Gb (128M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 168-FBGA (12x12)
  • Frequenza dell'orologio
    533MHz

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "EDB4432BBPA-1D-F-D".
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB4432BBPA-1D-F-R TR

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB4432BBPE-1D-F-D

EDB4432BBPE-1D-F-D

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB4432BBBH-1D-F-D

EDB4432BBBH-1D-F-D

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB5432BEBH-1DIT-F-D

EDB5432BEBH-1DIT-F-D

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB4432BBBH-1D-F-R TR

EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.