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EDF8164A3MA-JD-F-R TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EDF8164A3MA-JD-F-R TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Altri nomi
    EDF8164A3MA-JD-F-R
    EDF8164A3MA-JD-F-R TR-ND
    EDF8164A3MA-JD-F-RTR
  • temperatura di esercizio
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    8Gb (128M x 64)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 933MHz
  • Frequenza dell'orologio
    933MHz

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EDF8164A3MD-GD-F-R

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Produttori: Micron Technology
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EDF8164A3MC-GD-F-R

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EDF8132A3PF-GD-F-D

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EDF8164A3MA-GD-F-D

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EDF8132A3PK-GD-F-D

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EDF8132A3PB-JD-F-R TR

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