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EDW4032BABG-50-F-D

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EDW4032BABG-50-F-D
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC RAM 4G PARALLEL 1.25GHZ
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.31 V ~ 1.65 V
  • Tecnologia
    SGRAM - GDDR5
  • Serie
    -
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Gb (128M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    RAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SGRAM - GDDR5 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 1.25GHz
  • Frequenza dell'orologio
    1.25GHz

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EDW4032BABG-60-F-R TR

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Descrizione: IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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EDW4032CABG-50-N-F-D

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Descrizione: IC RAM 4G PARALLEL 1.25GHZ FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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EDW4032BABG-70-F-D

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Descrizione: IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA

Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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Produttori: LEMO
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Descrizione: IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA

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Produttori: LEMO
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Descrizione: IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA

Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descrizione: IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA

Produttori: Micron Technology
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