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1135432Immagine MT29F4G16ABBDAHC:D TR.Micron Technology

MT29F4G16ABBDAHC:D TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT29F4G16ABBDAHC:D TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    FLASH - NAND
  • Contenitore dispositivo fornitore
    63-VFBGA
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    63-VFBGA
  • Altri nomi
    557-1463-1
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 63-VFBGA
  • Numero di parte base
    MT29F4G16

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Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
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Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

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