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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT38W201DAA033JZZI.X68
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Italia
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MT38W201DAA033JZZI.X68

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$2.689
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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT38W201DAA033JZZI.X68
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Serie
    *
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    Memory IC
MT3B3024

MT3B3024

Descrizione: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Descrizione: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Descrizione: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
MT38M5041A3034EZZI.XR6

MT38M5041A3034EZZI.XR6

Descrizione: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Descrizione: PARALLEL/PSRAM 48M

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Descrizione: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Descrizione: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Descrizione: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT3B6115

MT3B6115

Descrizione: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
MT3B30C4

MT3B30C4

Descrizione: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR

MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR

Descrizione: IC FLASH RAM 256M PARAL 56VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Descrizione: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Descrizione: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

Descrizione: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Descrizione: PARALLEL/PSRAM 80M

Produttori: Micron Technology
In magazzino

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