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Casa > Centro di prodotti > Relè > Relè di potenza, oltre 2 ampere > MT3B3024
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6995465Immagine MT3B3024.Agastat Relays / TE Connectivity

MT3B3024

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT3B3024
  • Costruttore / Marca
    Agastat Relays / TE Connectivity
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT3B3024.pdf
  • Attiva tensione (max)
    18 VDC
  • Tensione di disattivazione (min)
    2.4 VDC
  • Stile di terminazione
    Plug In, 11 Pin (Octal)
  • Tensione di commutazione
    400VAC - Max
  • Serie
    MT, SCHRACK
  • Tempo di rilascio
    10ms
  • Tipo di relè
    General Purpose
  • imballaggio
    Bulk
  • Altri nomi
    9-1393090-1
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 60°C
  • Tempo di funzionamento
    15ms
  • Tipo montaggio
    Socketable
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Caratteristiche
    LED Indicator, Test Button
  • Descrizione dettagliata
    General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 24VDC Coil Socketable
  • Contatti (Current)
    4A
  • Materiale del contatto
    Silver Nickel (AgNi)
  • Modulo di Contatto
    3PDT (3 Form C)
  • Tensione della bobina
    24VDC
  • Tipo di bobina
    Non Latching
  • Resistenza bobina
    475 Ohms
  • Potenza bobina
    1.2 W
  • corrente bobina
    50.0mA

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Spedizione
Pagamento
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MT3B30C4

Descrizione: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
RFQ
MT3S113TU,LF

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Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RFQ
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RFQ
MT3S20P(TE12L,F)

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Descrizione: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RFQ
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

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Descrizione: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

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Descrizione: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT3S113(TE85L,F)

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Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RFQ
MT3B6115

MT3B6115

Descrizione: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

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Descrizione: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

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Descrizione: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68

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Descrizione: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT3S111(TE85L,F)

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Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RFQ
MT3S16U(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RFQ
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

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Descrizione: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT3S20TU(TE85L)

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Descrizione: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

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Descrizione: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8

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Descrizione: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

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Descrizione: PARALLEL/PSRAM 48M

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68

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Descrizione: PARALLEL/PSRAM 80M

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT3S111P(TE12L,F)

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Descrizione: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RFQ
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