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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT40A256M16GE-075E:B
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4355020Immagine MT40A256M16GE-075E:B.Micron Technology

MT40A256M16GE-075E:B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT40A256M16GE-075E:B
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR4
  • Contenitore dispositivo fornitore
    96-FBGA (14x9)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    96-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.33GHz 96-FBGA (14x9)
  • Frequenza dell'orologio
    1.33GHz
MT40A256M16GE-075E IT:B TR

MT40A256M16GE-075E IT:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E:B

MT40A256M16GE-083E:B

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-062E:B

MT40A256M16GE-062E:B

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E AIT:B

MT40A256M16GE-083E AIT:B

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E AAT:B

MT40A256M16GE-083E AAT:B

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A2G4PM-083E:A

MT40A2G4PM-083E:A

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR

MT40A256M16GE-075E AIT:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-075E AAT:B

MT40A256M16GE-075E AAT:B

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-075E IT:B

MT40A256M16GE-075E IT:B

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR

MT40A256M16GE-075E AUT:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E IT:B TR

MT40A256M16GE-083E IT:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-075E AUT:B

MT40A256M16GE-075E AUT:B

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-075E AIT:B

MT40A256M16GE-075E AIT:B

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16GE-083E AUT:B

MT40A256M16GE-083E AUT:B

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT40A256M16Z90BWC1

MT40A256M16Z90BWC1

Descrizione: DDR4 4G DIE 256MX16

Produttori: Micron Technology
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MT40A256M16GE-062E:B TR

MT40A256M16GE-062E:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
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