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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT41K256M16HA-107:E
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MT41K256M16HA-107:E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT41K256M16HA-107:E
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3L
  • Contenitore dispositivo fornitore
    96-FBGA (9x14)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    96-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-FBGA (9x14)
  • Frequenza dell'orologio
    933MHz
  • Numero di parte base
    MT41K256M16
  • Tempo di accesso
    20ns
MT41K1G8TRF-107:E

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT41K1G8TRF-125 IT:E TR

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT41K256M16HA-107:E TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT41K256M16HA-125 AIT:E

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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MT41K256M16HA-125 AAT:E

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MT41K256M16HA-107 IT:E TR

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MT41K256M16HA-107G:E TR

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MT41K1G8THE-15E:D TR

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MT41K256M16HA-125 M AIT:E

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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MT41K1G8TRF-125 IT:E

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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MT41K1G8THE-15E:D

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MT41K256M16HA-107 IT:E

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MT41K1G8TRF-125:E

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