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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR
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5054455Immagine MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR.Micron Technology

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3L
  • Contenitore dispositivo fornitore
    96-FBGA (8x14)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    96-TFBGA
  • Altri nomi
    MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR-ND
    MT41K256M16TW-107MAIT:PTR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
  • Frequenza dell'orologio
    933MHz
  • Tempo di accesso
    20ns

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MT41K256M16TW-107 V:P TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16TW-107 AT:P TR

MT41K256M16TW-107 AT:P TR

Descrizione: MEMORY DRAM

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16TW-107:P TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16V80AWC1

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16TW-107 AAT:P

MT41K256M16TW-107 AAT:P

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P

MT41K256M16TW-107 AUT:P

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16TW-125:P

MT41K256M16TW-125:P

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16TW-093:P

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16V00HWC1-N001

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Descrizione: DDR3 4G DIE 256MX16

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16TW-093:P TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16TW-107:P

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16V00HWC1

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Descrizione: IC FLASH NAND 32GX8 TSOP

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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MT41K256M16TW-107 AT:P

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Descrizione: MEMORY DRAM

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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MT41K256M16TW-107 AIT:P

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Produttori: Micron Technology
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RFQ
MT41K256M16TW-107 XIT:P

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
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